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部分材料性质

2018-01-17 点击数:

半导体与绝缘体

 

 

Si

GaAs

Ge

αSiC

SiO2

Si3N4

密度(g/cm3)

2.33

5.32

5.32

3.21

2.2

3.1

击穿场强(MV/cm)

0.3

0.5

0.1

2.3

10

10

介电常数

11.7

12.9

16.2

6.52

3.9

7.5

禁带宽度(eV)

1.12

1.42

0.66

2.86

9

5

电子亲和能(eV)

4.05

4.07

4

 

0.9

 

折射率

3.42

3.3

3.98

2.55

1.46

2.05

熔点(℃)

1412

1240

937

2830

~1700

~1900

比热容(J/(g•℃))

0.7

0.35

0.31

 

1

 

热导率(W/(cm•℃))

1.31

0.46

0.6

 

0.014

 

热扩散系数(cm2/s)

0.9

0.44

0.36

 

0.006

 

热膨胀系数(*10-6)

2.6

6.86

2.2

2.9

0.5

2.7

金属

 

 

Al

Cu

Au

TiSi2

PtSi

密度(g/cm3)

2.7

8.89

19.3

4.043

12.394

电阻率(μΩ•cm)

2.82

1.72

2.44

14

30

温度系统

0.0039

0.0039

0.0034

4.63

 

对n-si的热量(eV)

0.55

0.60

0.75

0.60

0.85

热导率(W/(cm•℃))

2.37

3.98

3.15

 

 

熔点(℃)

659

1083

1063

1540

1229

比热容(J/(g•℃))

0.90

0.39

0.13

 

 

热膨胀系数(*10-6)

25

16.6

14.2

12.5